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海力士首度采用30纳米制程量产DRAM产品

编辑:成都百斯特电子有限公司   字号:
摘要:海力士首度采用30纳米制程量产DRAM产品
据了解,海力士29日宣布,已开发出2款计算机用DRAM产品,将首度采用30纳米级制程量产。据海力士表示,计划采用38纳米制程生产4Gb和2Gb2种产品,2011年第1季将先量产2Gb产品。

相较于40纳米制程,30纳米制程使用单一晶圆可生产的半导体数量增加60~70%。不仅提升生产性,也有利于提升成本竞争力。海力士采用38纳米制程制造DRAM时,较目前采用的44纳米制程产量提升约70%。

海力士表示,采用38纳米制程生产的产品资料处理速度最高可提升至2,133Mbps,较44纳米制程产品资料传输速度提升约60%。此外更减少44纳米制程产品约50%的耗电量。

海力士副社长朴星昱表示,目前2GbDRAM产品占整体货量50%,未来将扩大高容量、高性能、低耗电产品比重,期望能引领4Gb等高容量产品市场。

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